受多重因素影响,芯片的供应紧张仍未缓解,在缺“芯”困局之下,国产替代的呼声愈发高涨,许多国产厂商选择“PIN to pin”的替代模式入局,启达启臣微CR1252A电源驱动芯片可代替ncp1252A芯片。ncp1252a代替芯片CR1252A特征■ SOP-8L封装..
PN8386产品描述:PN8386集成**低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损..
PN8370是一款高性能的原边反馈控制器。PN8370工作在原边检测和调整模式,可省略系统的光耦和TL431。PN8370拥有恒流恒压控制环路,可以实现高精度的恒压、恒流输出,能够满足大部分充电器和适配器需求。PN8370内置高压启动电路和较低的芯..
PN8368产品描述:PN8368集成**低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8368为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损..
PN8366产品描述:PN8366集成**低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700*8366H 800V),用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电..
N8307H概述:PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307H内置电压降较低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并..
PN8306产品描述:PN8306包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306内置电压降较低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度。PN8306处于开关工作模式,只适用于DC..
PN8235产品概述: PN8235集成**低待机功耗原边控制器及800V智能高压启动模块,外驱功率DMOS,外部Rg可调。PN8235用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8235为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电..
PN8161概述:PN8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET,**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能,包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能..
PN8160 内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源,该芯片提供了较为全面和性能优优异的智能化保护功能,包括周期式过流保护,过载保护,软启动功能。通知QR+CCM,ECO-mode,Burst-mode的三..
PN8149**低待机功耗交直流转换芯片, 非常适合六级能效Level6、Eur2.0能源之星应用。PN8147,PN8149部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功..
PN8147**低待机功耗交直流转换芯片PN8147内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源 该芯片提供 较为全面和性能优异的智能化保护功能 包括周期式过流保护(外部 调) 过载 关电源。该芯片提..
AP8266 IC 是一款高集成度的电流模式PWM控制芯片,具有高性能、低待机功耗、低成本等特点。AP8266 IC 内置 绿色的降频工作模式,根据负载情况调节工作频率,减少了开关损耗,从而获得较低的待机功耗的较高的转换效率。同时AP8266 IC 提..
AP8022产品描述:AP8022A芯片内部集成了脉宽调制控制品和功率MOSFET,适用于小功率离线开关电源,该芯片提供了完整的智能保护功能,包括过流保护,过压保护,欠压保护,过温保护,突发模式能够降低系统处于待机模式的功耗。该芯片还内置..