骊微电子代理PN8275内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯 片通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了**低的待机功耗、全 电压范围下的较佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证系统的良好EMI表现。同时，PN8275还提供了较为全面 和性能优异的智能化保护功能，包括输入欠/过压保护、X电容放电功能、输出过压保护、外部OTP保护、周期式过流保 护、过载保护、软启动功能。

PN8368集成**低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8368为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准。

骊微电子代理的PN8235集成**低待机功耗原边控制器及800V智能高压启动模块，外驱功率DMOS，外部Rg可调。PN8235用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8235为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。


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